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中芯国际今年出产7nm? 你们误会了梁孟松博士

原标题:中芯国际今年出产7nm? 你们误会了梁孟松博士

就部分网传中芯国际今年出产7nm的报道,《电子工程专辑》致电相关人士了解N+1工艺节点细节,得到以下解释:

【至于N + 1,我们的NTO是去年第四季度。目前正处于客户产品验证阶段,我们预计第四季度会产生有限产量。

关于N + 1,如果我们比较14nm和N+1,N+1性能提高了20%,功耗降低了57%,逻辑面积降低了63%,SOC面积降低了55%。因此与市场上的7nm相比,实际上在功率和稳定性方面非常相似,唯一的区别是性能,N + 1的性能提高了约20%,但就市场基准而言,大概是35%。这是唯一的差距。

因此,就功率和稳定性而言,您可以将其称为7nm,而在性能方面确实要比7nm差。我们对N + 1的目标是低成本的应用,可以将成本相对7nm减少10%左右。因此,这是一个非常特殊的应用。】

根据以上说明,“N+1”是中芯国际的官方代号,中芯国际并没有说它是7nm节点。部分网传可能是曲解了中芯国际Co-CEO梁孟松博士在最近的财政年度报告会议的内容。

也有专业人士分析,从参数上来看,这个n+1实际上就是台积电和三星的10nm节点,因为它只提升了20%的性能,远低于台积电计划的30%和实际的35%——业界现在以35%为市场基准。这么低的性能提升显然不能被称为7nm,它更像三星的第二代10nm和第三代10nm(就是8nm)。

综上,今年第四季度量产的应该是14nm的优化版本12nm,在进入7nm之前,随着14nm华为的订单的导入,期待中芯国际能拿到更多的14/12nm订单,以便为7nm的研发积蓄力量。

EUV没搞定,7nm怎么办?

《电子工程专辑》从SMIC官方声明中了解到,EUV对于目前N+1阶段是不必要的,当然如果未来能从ASML得到EUV,可能对N+2有用。

N+2与7nm的稳定性接近,但性能还是差一些。

前段时间中芯国际四季度财报中,粱孟松博士也明确说中芯国际可以不用EUV的光刻机实现7nm工艺(当然后面5nm/ 3nm还是要用的)。

从TSMC的历史经验来看,第一代7nm(低功耗的N7)没用EUV,后面一些衍生版本才用到——而且用的不多,据称大几十层光罩中,只有屈指可数的几层用了EUV。

当然,中芯国际如果今年能拿到ASML的光刻机的话,下一代节点的演进肯定会加速。

作者:赵娟

责编:Luffy Liu

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